SI7842DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7842DP-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Serie | LITTLE FOOT® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.5A, 10V |
Leistung - max | 1.4W |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.3A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI7842 |
SI7842DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI7842DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
VISHAY PowerPAKSO-8
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
VISHAY QFN
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI7842DP-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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